据路透社消息，受人工智能技术快速发展带动高带宽内存（hbm）及高端dram需求暴涨影响，内存制造商正加速将产线资源向ai相关存储产品倾斜，致使面向智能手机与个人电脑的传统dram供应持续趋紧，进而推升其合约价与现货市场价格，最终传导至整机bom成本及终端零售价格。
在此背景下，近期多位数码领域博主透露，部分手机厂商已在内部启动评估，考虑重新引入曾被主流机型逐步淘汰的microSD卡扩展功能，以此作为缓解存储成本压力的可行路径——在保留入门级价位竞争力的同时，降低对高容量内置闪存的依赖。
倘若DRAM价格长期维持高位，为稳固对价格敏感用户的吸引力，厂商或将更积极地在入门与中端机型中回归“SIM+SD二合一卡槽”设计，引导用户通过成本更低的外置存储卡实现容量扩容，而非出厂即搭载大容量内置存储，从而将上游涨价带来的成本压力向外转移。
然而，microSD卡若想真正重返旗舰或主流机型，仍面临多重现实障碍。
首要挑战在于性能落差：当前microSD卡（即便是最新microSD Express规格）在读写速度、尤其是随机I/O能力与延迟控制方面，仍显著落后于板载UFS闪存。即便采用Express标准，其实际应用加载效率与系统响应流畅度也难以完全匹配原生存储体验。
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