DRAM 供应持续吃紧，SK 海力士称内存短缺周期仍难判断

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12 月 14 日消息，在全球 DRAM 供应持续紧张、价格大幅波动的背景下，SK 海力士就当前内存短缺现状及应对措施作出回应。

SK 海力士今日回应 Wccftech 称，内存需求增长明显超出此前预期，正通过新建晶圆厂和提前部署产能来应对 AI 相关内存需求的快速上升，但目前仍难以对内存短缺的持续时间作出明确判断。

SK 海力士新建的 M15X 新工厂已在 2 年的时间里完成施工，并提前投产。该厂将专用于 HBM 芯片生产，计划于明年启动全面量产。鉴于内存需求增长速度超出预期，我们正通过建立先进生产基础设施（包括 M15X 工厂及计划于 2027 年上半年投产的龙仁工厂）积极确保“厂房空间”与“生产产能”。这将使我们能够高效应对日益增长的人工智能内存需求及不断变化的客户需求。

DRAM 短缺冲击产业链，多类终端产品成本承压

随着 DRAM 供应趋紧，内存价格的快速上涨已对整个电子产业链产生影响。笔记本电脑、台式机、智能手机及各类依赖内存的电子设备，未来均可能面临成本上升压力。

SK 海力士最新内部分析指出，在 AI 服务器需求快速扩张的推动下，全球 DRAM 市场正进入新一轮“超级周期”。在不包含 HBM 与 SOCAMM 的情况下，通用型 DRAM 的供给增长预计将在 2028 年前持续受限，库存水平快速下降，价格上行压力仍将延续。

供给端：通用 DRAM 增长受限，扩产节奏放缓

SK 海力士分析显示，剔除 HBM 与 SOCAMM 后，通用 DRAM 的供给增长在 2028 年前整体受限。与以往上行周期相比，DRAM 产能扩张明显趋缓。

目前，主要供应商库存正在被持续消化，整体库存水平已接近最低运行区间；与此同时，受制于先进制程与新技术转换，DRAM 实际可用产能的增长幅度有限。

服务器需求激增，DRAM 需求快速上行

受服务器需求显著增长带动，SK 海力士预计 DRAM 需求（B/G）将出现约 24% 的高速增长（注：按 bit 位计算）。

• 服务器 DRAM 占比预计将从 2025 年的 38% 提升至 2030 年的 53%

• AI 相关负载被视为推动本轮 DRAM 超级周期的核心驱动力

在服务器存储方面，受 AI 需求拉动，企业级 SSD 需求预计增长 36%；消费级存储整体需求增长有限，但 QLC 产品的占比有望持续扩大。

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