消息称三星拟扩大 HBM3E 产品供货规模，有望成博通首选供应商

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12 月 15 日消息，据韩国 Chosunbiz 报道，三星电子在高带宽存储器（HBM）领域取得重大突破。此前长达近两年、在性能与良率方面持续面临挑战的 HBM3E 12 层堆叠产品，目前已达成量产级稳定性，并计划大幅增加出货量。

▲ 图源三星
产业界消息称，正为谷歌定制 TPU 芯片的博通，正就提升三星电子 HBM3E 12 层芯片采购比例展开内部评估。目前，谷歌第七代 TPU 已采用三星电子与 SK 海力士共同供应的 HBM3E 8 层方案；而面向更高算力需求的升级版 TPU 7E，则明确规划全面导入 HBM3E 12 层架构。该产品当前处于量产验证阶段，业内普遍判断，三星与 SK 海力士在关键性能参数上已基本持平。

据此，三星电子极有可能跃升为博通核心HBM战略供应商。

回顾过去一年，三星的 HBM3E 12 层产品始终未能通过英伟达设下的严苛质量门槛——这一“最大客户”的高标准认证长期制约其市场地位，也成为其在全球 HBM 份额落后于 SK 海力士的关键因素之一。

为加速破局，三星在 DRAM 开发负责人黄尚俊（音译）带领下，对 HBM 所依赖的核心 DRAM 单元（D1a）实施了系统性重构，并借由与博通的联合调优与协同验证，于今年内成功实现性能一致性与制造良率的双重提升。

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